晶升股份

Crystal Growth & Energy Equipment Inc.
已上市成立 2012SSE:688478半导体设备 / 长晶设备

行业布局图

圈选框 = 有布局 · 参评 1 家2/4 层

一、主业情况

南京晶升装备股份有限公司 2012 年成立,是国家级专精特新「小巨人」企业;专注于晶体生长设备和材料制备技术的研发、生产与销售,重点产品为大尺寸半导体级单晶硅炉、碳化硅(SiC)长晶炉、衬底加工设备及外延生长设备,突破国外技术垄断 ii。

2025 年收入结构:晶体生长设备占 86.90%(毛利率 13.0%)、技术服务及辅材占 9.11%、其他设备及配套占 3.49%;收入几乎全部来自中国大陆 i。2025 年业绩大幅下滑(收入 −72.8%、转亏):下游硅片厂(12 英寸扩产放缓)与 SiC 衬底厂去库存导致设备订单骤减 i。

收入构成(按维度分面)

构成 · 产品类型(2025 年报)
2025 · 占比合计 100.0%
  • 晶体生长设备86.9%1.0 亿元
  • 技术服务及辅材9.11%1050 万元
  • 其他设备及配套3.49%400 万元
  • 其他(补充)0.51%60 万元

主要产品

口径:中国大陆市场 · 按收入 · 百万元 · 年度
产品定位代表客户来源
12 英寸半导体级单晶硅炉大硅片长晶核心设备(国产替代)—i
SiC 长晶炉碳化硅单晶生长设备(第三代半导体)—i
衬底加工/外延设备硅与 SiC 衬底配套装备—i

二、财务情况

五年一期
金额(百万元) · 中国大陆市场 · 按收入 · 百万元 · 年度
比率(%) · 中国大陆市场 · 按收入 · 百分比 · 年度
财务标准表原文
口径:中国大陆市场 · 按收入 · 百万元 · 年度
期间收入净利润毛利率净利率来源
2021194.947.040.6024.10i
2022222.034.535.2215.56i
2023405.671.032.4617.51i
2024425.053.726.0712.65i
2025115.5-38.315.03-33.18i

三、技术情况

295 字 / 上限 500 字

晶升的技术标签是「热场设计+大尺寸晶体生长工艺」:核心团队有 20 年以上国际半导体行业经验,区别于传统设备商的优势在热场仿真与工艺开发的设备定制能力;产品线沿「12 英寸硅单晶炉 → SiC 长晶炉 → 衬底/外延装备」扩展 i。研发投入 2021–2025 年从 0.20 亿元增至 0.43 亿元、研发占比 10%–37%(2025 年收入骤降致占比冲高),研发人员 82 人 i。编者判断:晶升是「材料扩产周期的高 β 设备商」——12 英寸硅片厂(沪硅/奕材/中欣)与 SiC 厂的下一轮资本开支决定其弹性;长期逻辑(大硅片国产化)未变,短期业绩波动极大 i。

四、股东情况

按披露期
股东持股备注来源
李辉16.12董事长、法定代表人(实际控制人)i
南京明春科技有限公司9.34—i
厦门市鑫鼎国瑞资产管理有限公司-鑫瑞集诚(厦门)创业投资合伙企业(有限合伙)7.93创投基金i

五、员工情况

员工数(人)· 2025
研发人员占比(%)

来源

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