功率半导体
行业规模
行业销售总额 · 中国大陆市场 · 按收入 · 亿元 · 年度 · 单位 亿元
最近一期：2024 · 1,752.6 亿元
应用领域
需求侧构成构成 · 应用领域
2030预测 · 占比合计 100.0%
- AI 芯片中介层散热37%—
- 新能源汽车25.8%—
- AR 眼镜光波导23.2%—
- 光伏储能5.6%—
- AIDC 电源4.4%—
- 充电桩3%—
- 射频（GaN-on-SiC）1%—
集中度
暂无公开口径：文档已收录本区块，但公开渠道无可溯源点值（见表下注与「口径缺口登记」）。
行业企业列表
26 家展开 26 家企业
| 公司 | 角色 | 上市 | 备注 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| 英飞凌 | 功率器件 | XETRA:IFX | 2024 年分立+模块 20.8% 居首；收购 GaN Systems 切入 GaN，推进 SiC JFET 规模商用 | i |
| 安森美 | 功率器件 | NASDAQ:ON | 全球 9.2% 第二；2025 年 10 月推出 GaN-on-GaN 垂直 GaN 高压器件 | — |
| 意法半导体 | 功率器件 | NYSE:STM | 车规功率 Top2；与三安光电合资 8 英寸 SiC 晶圆厂，客户含蔚来、吉利 | — |
| 比亚迪 | 功率器件 | SZSE:002594 | 国内功率模块出货量第一（过去外采 ST 为主）、全球第七；2025H2 投产的 SiC 器件工厂将成行业最大 | — |
| 斯达半导 | 功率器件 | SSE:603290 | SiC 主驱模块 2025 年车规出货超 1 亿颗，适配 800V，国内车规模块前五 | — |
| 时代电气 | 功率器件 | HKEX:3898 | 轨交 SiC 模块与 18kV 高压器件用于高铁变流，株洲基地年产能 10 万片；2024 年净利 37 亿元 | i |
| 士兰微 | 功率器件 | SSE:600460 | 全球分立+模块份额 3.3%；SiC MOSFET 过车规认证，募资 65 亿元建产线、规划年产能 14.4 万片 | i |
| 华润微 | 功率器件 | SSE:688396 | IDM 覆盖 650-3300V SiC MOSFET 及模块，12 英寸产线量产 | — |
| 三安光电 | 功率器件 | SSE:600703 | 衬底-外延-器件 IDM 全产业链，GaN-on-SiC 射频加速替代 | — |
| 英诺赛科 | GaN 器件 | HKEX:2577 | 全球首条 8 英寸 GaN 产线，2023 年全球 GaN 功率器件 31% 居首；与 ST 达成中欧产能互补协议 | i |
| 天岳先进 | SiC 衬底 | SSE:688234 | 6/8/12 英寸衬底，全球首发 12 英寸；国内龙头、全球第二，2024 年扭亏净利 1.79 亿元 | — |
| 天科合达 | SiC 衬底 | 未上市 | 导电型衬底 6/8/12 英寸，国内导电型市占率领先、全球 Top5 衬底供应商；两次 IPO 受挫、有借壳上市预期 | — |
| 芯导科技 | 功率器件（TVS/MOSFET） | SSE:688230 | 芯导科技：移动终端 TVS 保护为主力（占 56.3%）；2025 年营收 3.94 亿元（+11.5%）、净利率 27.0% | i |
| 燕东微 | 功率器件/制造服务（IDM） | SSE:688172 | 燕东微：「6+8+12」英寸产线，功率与模拟方案占 45.9%、制造服务占 44.3%；2025 年亏损 4.08 亿元（12 英寸爬坡） | i |
| 宏微科技 | IGBT/SiC 模块 | SSE:688711 | 宏微科技：自研芯片＋模块封装一体化（模块占 76.7%）；2025 年营收 13.48 亿元（+1.2%）、微利 | i |
| 银河微电 | 分立器件 IDM | SSE:688689 | 银河微电：功率器件 51.5%＋小信号 40.1%（车规/光伏），2025 年营收 10.50 亿元（+15.5%） | i |
| 锴威特 | 高压功率 IC | SSE:688693 | 锴威特：高压智能功率集成（功率 IC 占 53.1%、毛利率 46.4%）；2025 年营收 2.55 亿元（+95.7%）、亏损 | i |
| 天域半导体 | SiC 外延 | — | 6-8 英寸 N 型外延片（适配新能源车/光伏逆变器；材料标注 02658.HK，2025-12） | — |
| 瀚天天成 | SiC 外延 | 未上市 | 车规级高压外延片，12 英寸外延片全球首发；2024-06 撤回科创板申请、2025-04 转递港交所 | — |
| 芯联集成 | SiC 晶圆代工 | SSE:688469 | SiC MOSFET 650-2000V 全系列（1200V 车规、1700V 光伏），8 英寸产线，蔚来模块供应商 | — |
| 基本半导体 | SiC 器件 | 未上市 | 650-1700V SiC MOSFET，液冷超充桩市占率 40%，与华为数字能源合作；2025-05 递交港交所招股书 | — |
| 扬杰科技 | 功率器件 | SZSE:300373 | SiC SBD 获国内 Top10 光伏逆变器客户认可，SiC MOSFET 已量产，全 SiC 主驱模块获多家 Tier1 测试意向 | — |
| 长电科技 | SiC 模块封装 | SSE:600584 | 车规主驱逆变器模块封装良率超 99%、国内市占率 30%，适配 800V，客户含比亚迪/阳光电源；全球封测前三 | — |
| 通富微电 | SiC 模块封装 | SZSE:002156 | 光伏逆变器高功率模块封装，南通基地扩产至 250 万件/年、良率 99%，客户覆盖阳光电源、华为 | — |
| 华天科技 | SiC 封装 | SZSE:002185 | SiC 器件晶圆级封装，西安基地兼容 6/8 英寸晶圆、成本较国际大厂低约 15%，覆盖车规封装需求 | — |
| 中车时代半导体 | IGBT / 双极器件 | 未上市 | 2024 年营收 43.65 亿元；轨交与电网 IGBT 国内份额约 50% | — |
主流技术路线
按成熟度分组成熟
新兴技术趋势
验证中 · 早期路线与趋势判断验证中
- SiC JFET沉寂多年后 2025 年获英飞凌、安森美等重启规模商用代表：英飞凌i
早期
- 垂直 GaN（GaN-on-GaN）安森美 2025 年 10 月推出 vGaN，电流垂直流动、功率密度与热稳定性更优，预计 2026-2027 年规模商用代表：安森美—
- AIDC 成为第二增长曲线：NVIDIA 立标 800 VDC，2030 年 GaN+SiC 在 AIDC 电源 TAM 约 26.6 亿美元、AI 芯片中介层散热用 SiC 衬底需求约 620 万片——判断：SiC/GaN 在数据中心电源的占比将快速提升（依据 i i）
- SiC 价格战出清：基本半导体模块 ASP 2023 年 -74%、2025H1 分立器件毛损率 -194%，2024 年投融资事件 -43%——判断：无模块上车能力的设计公司 2025-2026 年加速出清，份额向通过车规验证的头部集中（依据 i）
- 国产替代纵深：汽车模拟/功率国产化率基数低（2024 年汽车模拟仅 5%），SiC 衬底-外延-器件-模块全链已成形——判断：车规放量将带动本土 IDM 份额持续上行（依据 i）
- 周期属性（2020 报告定性）：功率半导体呈约 5 年周期、因通用半导体属性波动弱于下游；6 英寸产能向 8 英寸迁移、折旧出清的早期 8 英寸线利用率提升——判断：行业下行期正是国内 8 英寸功率产线爬坡窗口（依据 i）
- 高压 BCD 平台是隐性壁垒（2020 调研定性）：BCD 需 Bipolar/CMOS/DMOS 单片集成、工艺协同复杂，国内仅少数 IDM 平台掌握——判断：功率 IC 化（驱动+功率集成）能力将拉开 IDM 间差距
- 数据中心 SiC 市场测算（内部整理，转引广发/行家说）：800V 直流电源（SST+800V→54V DC-DC）2027 年约 6.9 亿美元、2030 年约 35 亿美元；叠加传统 UPS/PSU 的 SiC 升级，2030 年数据中心 SiC 功率器件合计 40-45 亿美元，其中中压转 800V（SST）环节占一半左右；800V 渗透率 2027 年约 20-30%、2030 年约 50-60%；Navitas 口径细拆：2030 年 800V AI 数据中心 SiC+GaN 约 25.6 亿美元、其中 SiC 约 11.5 亿（占 45%）i
- 国产 SiC 切入 AIDC：芯联集成 2025Q3 向欧美 AI 客户送样 8 英寸 SiC MOSFET（G2.0 平台适配 SST/HVDC），三安光电 2026-01 宣布向维谛、台达、光宝、长城、伟创力批量供货 SiC MOSFET，基本半导体推出面向 800V HVDC 的 1200V 模块并做芯片级定制——判断：AIDC 将成为国产 SiC 继汽车之后的第二放量场景 —
- 800VDC 架构下低压 GaN 是用量大头（内部整理）：100V/30V 低压器件占全链功率器件用量约 96.8%，当前能量产低压 GaN 的仅英诺赛科与 EPC；英伟达 Kyber NVL576 单机柜 GaN 用量近 10 万颗、价值约 18 万美元，PSU 单体功率沿 5.5kW→12kW→22-30kW 代际跃升；800V 高压直流系统预计 2027 年商用，带动 GaN 相关营收 2030 年突破 3.8 亿美元（2024-2030 CAGR 约 53%）—
- 800HVDC 生态扩容：2025 年 5-10 月英伟达公告合作的 SiC/GaN 厂商数由 6 家扩展至 14 家（英诺赛科、英飞凌等入选）——判断：AIDC 供应链认证窗口期正加速筛选国产功率器件厂商 —
来源（15 条，点击展开）
[Navitas-2025]用户整理2025 · tier-1[Yole-2025-10]用户整理2025-10 · tier-2[金元证券-2025-05]用户整理2025-05-28 · tier-2[五矿证券-2025-11-24]用户整理2025-11-24 · tier-2[行家说-2025]用户整理2025 · tier-2[电科研投-2020]用户整理2020 · tier-3[功率报告-2020]用户整理2020-04 · tier-3[GMInsights-2025]功率半导体市场规模与竞争格局（2025 全球，含材料与产品形态结构）Global Market Insights Inc. · 2026-09 · tier-2原文[TechInsights-2026-04]2025 年全球汽车功率半导体供应商份额（新浪科技转引）TechInsights · 2026-04-17 · tier-2原文[Yole-2026-07]2025 全球功率半导体 TOP20 与 2031 市场展望（集萃转引）Yole Group · 2026-07-13 · tier-2原文[东财-688230-财务]688230（芯导科技）主要财务指标：营业总收入/归母净利润/毛利率/净利率/研发费用/研发人员/员工数（年报口径）东方财富（F10 财务数据接口） · 2026-10 · tier-3原文[东财-688172-财务]688172（燕东微）主要财务指标：营业总收入/归母净利润/毛利率/净利率/研发费用/研发人员/员工数（年报口径）东方财富（F10 财务数据接口） · 2026-10 · tier-3原文[东财-688711-财务]688711（宏微科技）主要财务指标：营业总收入/归母净利润/毛利率/净利率/研发费用/研发人员/员工数（年报口径）东方财富（F10 财务数据接口） · 2026-10 · tier-3原文[东财-688689-财务]688689（银河微电）主要财务指标：营业总收入/归母净利润/毛利率/净利率/研发费用/研发人员/员工数（年报口径）东方财富（F10 财务数据接口） · 2026-10 · tier-3原文[东财-688693-财务]688693（锴威特）主要财务指标：营业总收入/归母净利润/毛利率/净利率/研发费用/研发人员/员工数（年报口径）东方财富（F10 财务数据接口） · 2026-10 · tier-3原文