化合物衬底
行业规模
行业销售总额 · 世界市场 · 按收入 · 亿元 · 年度 · 单位 亿元
最近一期：2030 · 585 亿元
集中度
2024 · 全球
CR351.5%
CR568%
行业企业列表
8 家展开 8 家企业
| 公司 | 角色 | 上市 | 备注 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| 天岳先进 | SiC 衬底 | SSE:688234 | 天岳先进：2025 年导电型衬底全球外销份额 27.6% 居首；8 英寸份额 51.3%、8 英寸收入占比由 2024 年 30% 升至约 44%；2025 年营收同比 −17.15%、归母净利润 −2.08 亿元（主动降价换份额）；上海基地年产能拉升至 30 万片 | i |
| 天科合达 | SiC 衬底 | 未上市 | 天科合达：2024 年全球份额 11.3%，2025 年 7.2%（增量来自 6 英寸光伏与工业放量）；展示 12 英寸导电型与热沉级衬底 | i |
| Coherent 高意 | SiC 衬底 | NASDAQ:COHR | Coherent 高意：2024 年份额 10.4%、2025 年 5.5%，SiC 衬底定位为配套自有射频业务 | i |
| 三安光电 | 化合物半导体 | SSE:600703 | 三安光电：SiC/GaN 衬底-外延-器件一体化布局 | — |
| 天域半导体 | SiC 外延 | 未上市 | 天域半导体：SiC 外延片供应商，承接衬底向下游器件过渡 | — |
| 瀚天天成 | SiC 外延 | 未上市 | 瀚天天成：SiC 外延片供应商 | — |
| 基本半导体 | SiC 器件 | 未上市 | 基本半导体：SiC 功率器件，衬底的下游验证方 | — |
| 英诺赛科 | GaN 器件 | 未上市 | 英诺赛科：GaN 器件全球份额居前，走硅基 GaN 路线（不依赖 GaN 自支撑衬底） | — |
主流技术路线
按成熟度分组新兴技术趋势
验证中 · 早期路线与趋势判断验证中
- 12 英寸 SiC 衬底量产难度指数级上升；天岳临港二期、合盛硅业、天科合达、烁科晶体均在推进送样与交付代表：天岳先进i
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[爱集微-SiC衬底-2026-06]全球 SiC 衬底供应格局攻守易形：从天岳先进登顶看中国 SiC 产业结构性共振（弗若斯特沙利文与富士经济口径的规模、份额与 8 英寸进展）爱集微 · 2026-06-26 · tier-3原文