SiC 功率器件

行业规模

行业销售总额 · 中国大陆市场 · 按收入 · 百万元 · 年度 · 单位 百万元

最近一期:2029 · 428.0 亿元

集中度

2023 · 全球
CR591.9%

市占率

2023 · 合计 32.6%

行业企业列表

8 家
展开 8 家企业
公司角色上市备注来源
英飞凌SiC 器件XETRA:IFX推进 SiC JFET 规模商用;器件采用双通道沟槽栅技术—
意法半导体SiC 器件NYSE:STM车规功率 Top2;与三安光电合资 8 英寸 SiC 晶圆厂,客户含蔚来、吉利—
安森美SiC 器件NASDAQ:ON智能电源主线,提供 SiC/SiC JFET 与功率模块,面向 AI 数据中心、能源与电动车—
比亚迪SiC 器件SZSE:002594比亚迪半导体:国内功率模块出货第一,主驱 SiC 上量,自主品牌需求推动国产器件份额提升—
士兰微SiC 器件SSE:600460SiC MOSFET 过车规认证,募资 65 亿元建产线、规划年产能 14.4 万片(6 英寸当量)—
长电科技SiC 模块封装SSE:600584车规主驱逆变器模块封装良率超 99%、国内市占率 30%,适配 800V,客户含比亚迪/阳光电源—
华天科技SiC 封装SZSE:002185SiC 器件晶圆级封装,西安基地兼容 6/8 英寸晶圆、成本较国际大厂低约 15%—
中车时代半导体SiC 功率器件未上市中车时代半导体产线,车规与电网双场景—

主流技术路线

按成熟度分组
成熟
  • SiC 功率模块主驱逆变器主力;国内车规模块前五已量产,适配 800V 高压平台代表:意法半导体—
  • SiC 肖特基二极管(SBD/JBS)高频整流用,SiC 二极管晶圆价格低至 MOSFET 的 60-70%代表:安森美—
放量中
  • SiC MOSFET(平面/沟槽)800V 车型累计至 347 款(2025Q3);博世双通道沟槽栅与纳维塔斯「沟槽辅助」平面工艺并行,服务于更高压、高频、车规工况代表:英飞凌—

新兴技术趋势

验证中 · 早期路线与趋势判断
  • SiC 价格战出清:2024 年行业投融资事件减少 43%,基本半导体 SiC 模块 ASP 2023 年同比 -74%、2025H1 分立器件毛损率扩大至 -194%——判断:无模块量产上车能力的设计公司 2025-2026 年加速出清,份额向通过车规验证的头部集中(依据 —)
  • SiC JFET 复兴:沉寂多年后 2025 年由英飞凌、安森美等少数企业推进规模商用——判断:JFET 将在高压/高频场景与 MOSFET 形成互补(依据 —)
  • 8 英寸与 AIDC 第二场景:8 英寸衬底出货占比 2024 年 26% → 2029E 77.4%,数据中心(SST/HVDC 电源)成为继汽车后的第二放量场景——判断:8 英寸与车规高压(1700V)是国产 SiC 的下一争夺点(依据 i)
  • 对 IGBT 的挤压:衬底价格快速下降提升 SiC 器件经济性,对 IGBT 芯片市场形成挤压——判断:中高端车型与高压平台将加速 SiC 替代(依据 —)
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