GaN 功率器件

上游 · 供给
↓ GaN 功率器件 ↓
本行业 · GaN 功率器件
↓ 输出给下游 ↓
下游 · 输出
  • (无)

行业规模

行业销售总额 · 世界市场 · 按收入 · 亿美元 · 年度 · 单位 亿美元

最近一期:2030 · 30 亿美元

集中度

2024 · 中国大陆
CR568%

市占率

2024 · 合计 36.0%

行业企业列表

7 家
展开 7 家企业
公司角色上市备注来源
英诺赛科GaN 器件HKEX:2577全球首条 8 英寸 GaN 产线、成本降 35%;2023 年全球 GaN 功率器件 31% 居首;英伟达 800HVDC 合作唯一国内厂商i
英飞凌GaN 器件XETRA:IFX收购 GaN Systems 进入第一梯队,IDM 模式、主攻汽车电子—
意法半导体GaN 器件NYSE:STM2025-03 与英诺赛科签署 GaN 技术开发与制造协议,实现中欧产能互补—
安森美GaN 器件NASDAQ:ON2025-10 推出 GaN-on-GaN 垂直 GaN(vGaN)高压器件—
瑞萨电子GaN 器件TSE:6723收购 Transphorm 进入第一梯队;向 Polar 授权 GaN-on-Si d-mode 技术—
士兰微GaN 器件SSE:6004602024 年中国功率 GaN 出货约 7%,与英诺赛科、三安同处第一梯队i
德州仪器GaN 器件NASDAQ:TXN提供 GaN 功率器件,功率半导体 Top3(车规口径)—

主流技术路线

按成熟度分组
成熟
  • 硅基 GaN 外延与器件(中国路线)6 英寸硅基 GaN 外延片良率 90% 以上;中国以 GaN-on-Si 为主导实现快速产业化,车规级产品良率超 85%代表:士兰微—
放量中
  • 增强型 GaN-on-Si HEMT8 英寸量产使成本较 6 英寸降 30% 以上;650V 器件导通电阻降至 15-20mΩ、开关频率突破 10MHz;快充主力并向 800V OBC、数据中心电源渗透代表:英诺赛科—
  • eGaN(增强型氮化镓)低电压、高频率应用具不可替代性,良率与一致性成熟代表:——

新兴技术趋势

验证中 · 早期路线与趋势判断
  • 垂直 GaN(vGaN):安森美 2025-10 推出 GaN-on-GaN 垂直器件,电流垂直流动、功率密度与热稳定性更优,预计 2026-2027 年规模商用;MIT 分拆的 Vertical Semiconductor 2025-10 获 1,100 万美元种子轮——判断:vGaN 是高压 GaN 的下一代方向(依据 —)
  • GaN 向 AIDC 渗透:800V 高压直流系统预计 2027 年商用;100V/30V 低压器件占 AIDC 全链功率器件用量约 96.8%,而当前能量产低压 GaN 者寥寥——判断:数据中心电源是 GaN 的第二增长曲线(依据 —)
  • 代工格局重构:台积电退出 GaN 后由 GlobalFoundries 技术授权承接,Polar、X-FAB 相继加入;英诺赛科与意法达成中欧产能互补协议——判断:无晶圆厂企业的产品节奏更依赖稳定代工关系(依据 —)
  • 从消费向车规迁移:中国已构建材料—器件—应用完整生态(外延片产能占全球 35%、快充占全球 70% 以上)——判断:增量看汽车与数据中心,工业与能源领域营收占比已首超消费电子(依据 —)
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