东方晶源

Dongfang Jingyuan Electron Limited

未上市电子束量检测

行业布局图

圈选框 = 有布局 · 参评 1 家2/4 层

半导体设备

一、主业情况

东方晶源聚焦电子束量检测设备，产品线含 CD-SEM（关键尺寸量测）、HV-SEM（高能电子束）、EBI（电子束缺陷检测）与 DR-SEM（电子束缺陷复检）四类机型。其中 EBI 可用于 ≥28nm 逻辑工艺与 ≥200 层 3D NAND，具备 100nA 级检测束流与深度学习缺陷自动分类算法；HV-SEM 面向 ≤14nm 逻辑、≥200 层 3D NAND 与先进节点 DRAM，着陆能量可达 45keV；CD-SEM 的量测重复性达 0.15nm、设备同一性 0.1nm。电子束量检测是量检测国产化的前沿细分，国产整体量检测起点不足 10%。公司未上市，财务与股东数据素材未覆盖。

主要产品

口径：中国大陆市场 · 按收入 · 百万元 · 年度

产品	定位	代表客户	来源
CD-SEM 关键尺寸量测设备	关键尺寸量测，重复性 0.15nm、设备同一性 0.1nm	—	—
HV-SEM 高能电子束设备	≤14nm 逻辑、先进节点 DRAM，着陆能量 ≤45keV	—	—
EBI 电子束缺陷检测设备	≥28nm 逻辑、≥200 层 3D NAND，100nA 级束流	—	—
DR-SEM 电子束缺陷复检设备	缺陷复检	—	—

三、技术情况

256 字 / 上限 500 字

东方晶源的技术路线是电子束量检测全机型覆盖：EBI 与 DR-SEM 负责缺陷检出与复检，HV-SEM 与 CD-SEM 负责高分辨率量测，其中 EBI 的深度学习缺陷自动分类算法与 HV-SEM 的 45keV 高着陆能量是国产化中的差异化指标。电子束量检测相较光学明暗场可捕捉更细的缺陷，是先进逻辑与高堆叠 3D NAND 的关键量测手段，也是国产量检测从「低端替代」走向「先进制程可用」的门槛环节。编者判断：量检测的国产替代瓶颈在客户信任与机台 match 验证，公司在电子束细分具备先发机型，但量产一致性与头部晶圆厂导入进度决定放量节奏。