美光科技

Micron Technology, Inc.
已上市成立 1978NASDAQ:MU存储

行业布局图

圈选框 = 有布局 · 参评 1 家2/4 层

一、主业情况

美光设计并制造 DRAM、NAND 闪存与 HBM,是仅存的美国本土存储 IDM,客户以超大规模云厂商和 NVIDIA 等 AI 加速器厂商为主。2026-02 公司宣布退出英睿达(Crucial)消费级业务,全面聚焦数据中心;2026-05 市值突破 1 万亿美元。FY2026 收入 1,331.88 亿美元(同比 +256%)、净利润 849.69 亿美元,公司公布 2,000 亿美元美国投资计划(爱达荷/纽约州新建存储晶圆厂与封装基地)。

收入构成(按维度分面)

构成 · 产品类型
FY2026 · 占比合计 100.0%
  • DRAM75.6%1006.8 亿美元
  • NAND23.9%317.9 亿美元
  • 其他(NOR 等)0.5%7.2 亿美元

主要产品

口径:世界市场 · 按收入 · 百万美元 · 年度
产品定位代表客户来源
HBM3E/HBM4AI 加速器高带宽内存(HBM4 36GB 12 层量产、48GB 16 层送样)英伟达i
DDR5 RDIMM/MRDIMM服务器主内存(256GB 样品,1γ 制程)超大规模云厂商i
LPDDR5X/LPDDR6移动与 AI 终端低功耗内存手机厂商i
数据中心 SSD(G9 NAND)AI 数据中心固态存储超大规模云厂商i

客户行业分布图

1 家客户 · 3 个行业
展开客户分布(1 家客户)
2/4 层

本层暂无子行业布局

二、财务情况

五年一期
金额(百万美元) · 世界市场 · 按收入 · 百万美元 · 年度
比率(%) · 世界市场 · 按收入 · 百分比 · 年度
财务标准表原文
口径:世界市场 · 按收入 · 百万美元 · 年度
期间收入净利润毛利率净利率来源
FY202127,7055,86137.6221.15i
FY202230,7588,68745.1828.24i
FY202315,540-5,8332.67—i
FY202425,11177822.353.10i
FY202537,3788,53939.7922.84i
FY2026133,18884,96980.763.80i

三、技术情况

299 字 / 上限 500 字

美光 DRAM 主力出货转向 1γ(1-gamma)节点——其首个采用 EUV 光刻的 DRAM 节点,FQ4-26 已占 DRAM 出货位元多数;NAND 为第九代(G9)。HBM4 36GB 12 层于 2026 日历年内量产,48GB 16 层已送样,HBM4E 计划 2027 年爬坡;256GB DDR5 RDIMM 与 LPDDR6 样品在途。公司新设 Micron Research Labs(10 年 100 亿美元)加码前沿研究,FY2026 研发费用 56.5 亿美元。FY2025 前一大客户占收入 17%(数据中心)。(编者注:EUV 先进制程与 HBM 产品化速度使其稳居存储第一梯队,HBM 份额仍居 SK 海力士 之后。)

四、股东情况

按披露期
股东持股备注来源
先锋领航(Vanguard)9.3基金(2026-01 披露)i
贝莱德(BlackRock)8.34基金(2026-01 披露)i
Capital World Investors5.7基金(2026-01 披露)i
道富(State Street)4.59基金(2026-01 披露)i

五、员工情况

员工数(人)· FY2026
研发人员占比(%)

来源

5 条
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