封装设备

上游 · 供给
  • (无)
↓ 封装设备 ↓
本行业 · 封装设备
↓ 输出给下游 ↓
下游 · 输出

行业规模

行业销售总额 · 世界市场 · 按收入 · 亿美元 · 年度 · 单位 亿美元

最近一期:2025 · 17.5 亿美元

集中度

2025 · 全球
CR588%

市占率

2025 · 合计 67.0%

行业企业列表

8 家
展开 8 家企业
公司角色上市备注来源
BE Semiconductor Industries混合键合Euronext:BESIBE Semiconductor:混合键合设备市占率 67% 绝对龙头、D2W 约 70%;累计订单超 100 套(客户含台积电/英特尔/三星);倒装与热压键合亦有布局ii
迈为股份键合/封装设备SZSE:300751迈为股份:国产封装与键合设备代表,正积极追赶海外厂商i
—键合设备HKEX:0522ASMPT:热压键合领先,FIREBIRD TCB 系列已批量交付超 250 台;混合键合 LITHOBOLT 支持 D2Wi
—键合设备NASDAQ:KLICK&S(Kulicke & Soffa):引线键合与热压键合全球前五i
—晶圆键合未上市EV Group:D2W 混合键合领域行业领先探索者,2021 年推出首部商用 D2W 混合键合活化与清洁系统i
—键合设备已上市Shibaura、SET:热压键合全球前五厂商i
新益昌固晶机(Die Bonder)SSE:688383新益昌:固晶机国内龙头(占 73.6%),LED+半导体封测资本开支双收缩致转亏;2025 年营收 7.27 亿元(−22.2%)i
耐科装备封装模具/切筋成型SSE:688419耐科装备:切筋成型系统+自动封装(出口占 56.6%),净利率 27.2%;2025 年营收 2.95 亿元(+9.9%)i

主流技术路线

按成熟度分组
成熟
  • 引线键合(Wire Bonding)1975 年起沿用,连接密度 5–10 I/O/mm²、精度 20–10μm、能耗 10pJ/bit代表:—i
  • 倒装芯片键合(Flip Chip)锡球/铜柱凸块,连接密度 25–400 I/O/mm²、精度 10–5μm;回流焊适用 40–50μm 凸点间距代表:—i
放量中
  • 热压键合(TCB)铜柱凸块,可胜任 40–10μm 凸点间距;凸点间距到 10μm 时可能产生金属间化合物代表:—i
  • 扇出封装(HD Fan-Out)RDL/铜柱凸块,连接密度 500+ I/O/mm²代表:—i

新兴技术趋势

验证中 · 早期路线与趋势判断
验证中
  • 混合键合(Hybrid Bonding)铜-铜直接键合,连接密度 1 万–100 万 I/O/mm²、精度 0.5–0.1μm、能耗 <0.05pJ/bit;HBM5 20-hi 三大存储厂已确定采用,首款混合键合 HBM4e 16-hi 2026 年问世代表:BE Semiconductor Industriesii
  • 混合键合将成下一代主力:预计 10μm 凸点间距以下的高集成度封装将全面转向混合键合,设备成为市场主流(依据 i)
  • 设备价值量与工艺难度同步跃升:键合步骤数与单台均价(150–200 万美元)远超传统倒装键合,封装厂资本开支结构随之改变(依据 i)
  • 国产追赶起点低但方向明确:键合机国产化率仅约 10%,迈为股份等正积极追赶;台积电 SoIC 产量 2025 年翻番至 1 万片、2026 年再翻番,验证混合键合的需求斜率(依据 i)
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