长鑫存储
ChangXin Memory Technologies (CXMT)行业布局图
圈选框 = 有布局 · 参评 5 家2/4 层一、主业情况
长鑫存储（CXMT）是中国大陆唯一规模量产 DRAM 的 IDM 厂商，产品覆盖 DDR4/LPDDR4 到 DDR5/LPDDR5，2025 年出货份额预计由 Q1 约 6% 升至 Q4 约 8%（行业文档内部口径）。截至 2025 年底，公司在合肥、北京共拥有 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，月产能 28–30 万片，位居中国第一、全球第四，行业机构预计 2026 年底月产能提升至 35 万片 i。技术侧已实现 DDR5/LPDDR5 规模化量产并自研 17nm 级工艺（规避 EUV 限制），客户进入阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米等供应链 i。
**上市状态**：集团挂牌主体**长鑫科技**（长鑫存储为其 DRAM 经营主体）已于 2026-07-27 在科创板上市（688825，发行价 8.66 元/股，首日涨 471.59%，为科创板史上最大规模 IPO）i。**长鑫存储自身仍无独立审计财报**（财务数据并入长鑫科技合并报表，本页不代填母公司口径），故「二、财务情况」「五、员工情况」整节留空。
主要产品
| 产品 | 定位 | 代表客户 | 来源 |
|---|---|---|---|
| DDR5 / LPDDR5 | 已规模化量产的主流代际，国产 DRAM 主力 | — | i |
| DDR4 / LPDDR4 | 成熟与利基市场，国产 DRAM 的主要切入点 | — | i |
| 17nm 级工艺 DRAM | 自研工艺节点（避开 EUV 限制） | — | i |
三、技术情况
329 字 / 上限 500 字长鑫的技术路线是「成熟节点 + 规模产能」：以自研的 17nm 级工艺量产 DDR5/LPDDR5，避开 EUV 光刻限制，用深紫外（DUV）多重曝光实现先进 DRAM 制程，是中国大陆唯一具备规模量产能力的 DRAM 制造平台。产品从 DDR4/LPDDR4 切入，逐步向 DDR5/LPDDR5 等主流代际升级，并靠近 HBM 门槛，但与三星、SK 海力士仍有差距。规模侧，3 座 12 英寸厂月产能已达 28–30 万片、全球第四，2026 年目标 35 万片，逼近美光 i。瓶颈在先进制程设备与材料进口管制、良率爬坡与 HBM 技术代差。编者判断：作为国产存储的核心载体，长鑫的价值在于打破 DRAM 海外垄断、为 AI 时代提供供给备份，但制程追赶、资本开支压力与 HBM 落差是长期变量。