青禾晶元
iSABers行业布局图
圈选框 = 有布局 · 参评 1 家2/4 层一、主业情况
青禾晶元成立于 2020 年 7 月,2025 年总部迁至天津滨海高新区并更名为「青禾晶元半导体科技(集团)股份有限公司」,核心业务涵盖高端键合装备研发制造与精密键合工艺服务,通过「装备制造 + 工艺服务」双轮驱动构建全产业链解决方案 ii。
产品与业务板块:公司已形成四大自主知识产权产品矩阵——超高真空常温键合系统、混合键合设备、热压键合装备及配套工艺服务 i。在材料端,公司在天津和山西建有键合代工量产线,可稳定量产 SiC-SiC、LTOI、LNOI、SiCOI、SOI、Si-SiC 等多种关键键合衬底,并自主研发复合衬底材料,技术应用于先进封装、半导体器件制造、晶圆级异质材料集成及 MEMS 传感器等前沿领域 ii。
融资与资本变动:2026-03 完成约 5 亿元战略融资,由中微公司(中微半导体设备)及孚腾资本联合领投,北汽产投跟投,老股东英诺基金持续追加投资 i。2026-10 中微公司公告其全资子公司中微临港拟以不超过 3,500 万元向青禾晶元增资,认购本轮融资后注册资本的 0.5%,本轮增资投前估值为 67.5 亿元 i。
主要产品
| 产品 | 定位 | 代表客户 | 来源 |
|---|---|---|---|
| 超高真空常温键合系统 | 超高真空环境下以离子束活化实现常温晶圆直接键合的量产型设备 | — | i |
| 混合键合设备 | 面向先进封装与 Chiplet 集成的混合键合装备 | — | i |
| 热压键合装备 | 面向功率器件等的高温高压键合装备 | — | i |
| 键合衬底 / 复合衬底 | 量产 SiC-SiC、LTOI、LNOI、SiCOI、SOI、Si-SiC 等键合衬底及复合衬底材料 | — | i |
三、技术情况
481 字 / 上限 500 字青禾晶元的核心技术是常温键合:在超高真空环境下以离子束活化晶圆表面,常温下使两片晶圆直接形成原子级化学键,从而消除高温带来的热应力与界面氧化问题,使热膨胀系数差异大的材料也能结合 i。公司掌握超高真空、表面活化、亚微米精准对准、控温控压等关键技术,产品覆盖全尺寸晶圆 i。
在材料端,公司通过键合集成技术将单晶碳化硅薄层转移至低阻多晶碳化硅衬底,制备超低阻碳化硅键合衬底,并实现供体片重复利用以降低成本,是国内较早实现碳化硅键合衬底规模化量产的企业之一 i。除装备外,公司还提供键合工艺代工与「装备+工艺+复合衬底整线」方案,形成三大板块协同 i。
编者判断:青禾晶元把「设备 + 工艺服务 + 材料」打包成整线方案,绑定客户工艺窗口、提高替换成本,是其相较单一设备厂商的差异化;但键合设备与复合衬底均属资本与技术密集型业务,产能爬坡、良率与客户验证周期是放量关键变量,67.5 亿元投前估值已隐含较高增长预期。
四、股东情况
按披露期| 股东 | 持股 | 备注 | 来源 |
|---|---|---|---|
| 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | — | 战略轮联合领投方(2026-03,通过全资子公司中微临港增资) | ii |
| 孚腾资本 | — | 战略轮联合领投方(2026-03) | i |
| 北汽产投 | — | 战略轮跟投方(2026-03) | i |
| 英诺基金(英诺天使基金) | — | 早期投资方,战略轮持续追加 | i |
来源
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