先进封装

行业规模

行业销售总额 · 中国大陆市场 · 按收入 · 亿元 · 年度 · 单位 亿元

最近一期:2025 · 852 亿元

集中度

暂无公开口径:文档已收录本区块,但公开渠道无可溯源点值(见表下注与「口径缺口登记」)。

市占率

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行业企业列表

6 家
展开 6 家企业
公司角色上市备注来源
台积电代工先进封装TWSE:2330CoWoS/InFO/SoIC 平台,AI 大芯片产能瓶颈所在i
英特尔IDM 自用先进封装NASDAQ:INTCEMIB(2.5D)与 Foveros(3D),率先入局玻璃基板i
三星电子IDM 自用先进封装KRX:005930X-Cube 3D 堆叠,HBM 逻辑 die 封装i
长电科技封测代工SSE:600584XDFOI 对标 CoWoS/InFO,4nm 系统级封装量产i
华天科技封测代工SZSE:002185全球第六、国内第三,SiP/FC/TSV 全谱系,FOPLP 与 32 层超薄堆叠推进中i
超威半导体芯片设计(采用方)NASDAQ:AMDMI300 拆分为 13 颗芯粒,依赖 2.5D/3D 封装i

主流技术路线

按成熟度分组
成熟
  • 倒装(Flip-Chip/BGA)高性能 CPU/ASIC 主流互连,先进封装最大平台代表:英特尔—
  • 晶圆级封装(FIWLP/FOWLP)InFO 独家供应苹果 A 系列,扇出可多芯片异构集成代表:台积电i
  • 2.5D(CoWoS/EMIB)AI/HPC 芯片标配,计算芯粒与多堆栈 HBM 并排互连代表:台积电i
放量中
  • 3D 堆叠(TSV+微凸点)AMD 3D V-Cache 自 2022 年大规模量产,二代缓存下置后频率再升 400MHz代表:超威半导体—

新兴技术趋势

验证中 · 早期路线与趋势判断
  • 混合键合(铜-铜直接键合、间距 <10μm)是 3D 集成关键使能:HBM5 20-hi 已确定采用,首款混合键合 HBM4e 16-hi 2026 年问世;台积电 SoIC 采用(依据 i)
  • 面板级封装(FOPLP)与 CPO 光电共封装处验证期:300mm→板级可降本约 66%(依据 i)
  • 玻璃基板(TGV)是有机基板后的承接路线,英特尔、三星、英伟达、台积电已入局(依据 i)
  • 判断:先进封装瓶颈在 CoWoS 等 2.5D 产能与混合键合良率,良率守门在检测量测与 KGD(已知良好裸片)测试
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